HFS18N50U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HFS18N50U
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.265 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HFS18N50U

HFS18N50U Datasheet (PDF)

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Apr 2014BVDSS = 500 VRDS(on) typ = 0.22 HFS18N50U ID = 18 A500V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 58 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area L

0.1. Size:834K semihow
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June 2020BVDSS = 500 VRDS(on) typ = 0.22 HFS18N50UT ID = 18 A500V N-Channel MOSFETTO-220FTFEATURESOriginative New DesignSuperior Avalanche Rugged Technology123Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. SourceVery Low Intrinsic CapacitancesExcellent Switching CharacteristicsUnrivalled Gate Charge : 58 nC (Typ.)Extended Safe Operating AreaLower RDS(ON)

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History: TSF5N60M

Liste

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