HFS18N50U Todos los transistores

 

HFS18N50U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFS18N50U

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 37 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 18 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V

Carga de compuerta (Qg): 58 nC

Tiempo de elevación (tr): 80 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 290 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.265 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HFS18N50U

 

HFS18N50U Datasheet (PDF)

1.1. hfs18n50u.pdf Size:263K _update_mosfet

HFS18N50U
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Apr 2014 BVDSS = 500 V RDS(on) typ = 0.22 HFS18N50U ID = 18 A 500V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 58 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo

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