HFS18N50U MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFS18N50U

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.265 Ohm

Encapsulados: TO-220F

 Búsqueda de reemplazo de HFS18N50U MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HFS18N50U datasheet

 ..1. Size:149K  semihow
 hfs18n50u.pdf pdf_icon

HFS18N50U

Apr 2014 BVDSS = 500 V RDS(on) typ = 0.22 HFS18N50U ID = 18 A 500V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 58 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area L

 0.1. Size:834K  semihow
 hfs18n50ut.pdf pdf_icon

HFS18N50U

June 2020 BVDSS = 500 V RDS(on) typ = 0.22 HFS18N50UT ID = 18 A 500V N-Channel MOSFET TO-220FT FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 58 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON)

Otros transistores... HFS12N60S, HFS12N60U, HFS12N65S, HFS12N65U, HFS13N50S, HFS13N50U, HFS13N60U, HFS13N65U, AO4407, HFS2N60, HFS2N60S, HFS2N60U, HFS2N65S, HFS2N65U, HFS2N70S, HFS2N90, HFS3N80