HFS18N50U. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFS18N50U

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.265 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для HFS18N50U

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS18N50U даташит

 ..1. Size:149K  semihow
 hfs18n50u.pdf pdf_icon

HFS18N50U

Apr 2014 BVDSS = 500 V RDS(on) typ = 0.22 HFS18N50U ID = 18 A 500V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 58 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area L

 0.1. Size:834K  semihow
 hfs18n50ut.pdf pdf_icon

HFS18N50U

June 2020 BVDSS = 500 V RDS(on) typ = 0.22 HFS18N50UT ID = 18 A 500V N-Channel MOSFET TO-220FT FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 58 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON)

Другие IGBT... HFS12N60S, HFS12N60U, HFS12N65S, HFS12N65U, HFS13N50S, HFS13N50U, HFS13N60U, HFS13N65U, AO4407, HFS2N60, HFS2N60S, HFS2N60U, HFS2N65S, HFS2N65U, HFS2N70S, HFS2N90, HFS3N80