Справочник MOSFET. HFS18N50U

 

HFS18N50U Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFS18N50U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.265 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для HFS18N50U

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS18N50U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:149K  semihow
 hfs18n50u.pdf pdf_icon

HFS18N50U

Apr 2014BVDSS = 500 VRDS(on) typ = 0.22 HFS18N50U ID = 18 A500V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 58 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area L

 0.1. Size:834K  semihow
 hfs18n50ut.pdf pdf_icon

HFS18N50U

June 2020BVDSS = 500 VRDS(on) typ = 0.22 HFS18N50UT ID = 18 A500V N-Channel MOSFETTO-220FTFEATURESOriginative New DesignSuperior Avalanche Rugged Technology123Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. SourceVery Low Intrinsic CapacitancesExcellent Switching CharacteristicsUnrivalled Gate Charge : 58 nC (Typ.)Extended Safe Operating AreaLower RDS(ON)

Другие MOSFET... HFS12N60S , HFS12N60U , HFS12N65S , HFS12N65U , HFS13N50S , HFS13N50U , HFS13N60U , HFS13N65U , P60NF06 , HFS2N60 , HFS2N60S , HFS2N60U , HFS2N65S , HFS2N65U , HFS2N70S , HFS2N90 , HFS3N80 .

History: CHM634PAGP | ZXMN6A07F | NVMFS5A140PLZ

 

 
Back to Top

 


 
.