Справочник MOSFET. HFS18N50U

 

HFS18N50U Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFS18N50U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 58 nC
   trⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.265 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS18N50U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:149K  semihow
 hfs18n50u.pdf pdf_icon

HFS18N50U

Apr 2014BVDSS = 500 VRDS(on) typ = 0.22 HFS18N50U ID = 18 A500V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 58 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area L

 0.1. Size:834K  semihow
 hfs18n50ut.pdf pdf_icon

HFS18N50U

June 2020BVDSS = 500 VRDS(on) typ = 0.22 HFS18N50UT ID = 18 A500V N-Channel MOSFETTO-220FTFEATURESOriginative New DesignSuperior Avalanche Rugged Technology123Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. SourceVery Low Intrinsic CapacitancesExcellent Switching CharacteristicsUnrivalled Gate Charge : 58 nC (Typ.)Extended Safe Operating AreaLower RDS(ON)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.