HFS4N90 Todos los transistores

 

HFS4N90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFS4N90

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 47 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 900 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V

Carga de compuerta (Qg): 30 nC

Tiempo de elevación (tr): 80 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 100 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 3 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-220F

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HFS4N90 Datasheet (PDF)

1.1. hfs4n90.pdf Size:191K _update_mosfet

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March 2014 BVDSS = 900 V RDS(on) typ HFS4N90 ID = 4.0 A 900V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 30 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

5.1. hfs4n60.pdf Size:177K _update_mosfet

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July 2005 BVDSS = 600 V RDS(on) typ HFS4N60 ID = 4.0 A 600V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 15 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(

5.2. hfs4n50.pdf Size:231K _update_mosfet

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July 2005 BVDSS = 500 V RDS(on) typ HFS4N50 ID = 3.4 A 500V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 13 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(

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