IXTM75N10 Todos los transistores

 

IXTM75N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTM75N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 300 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 75 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 180 nC
   Tiempo de subida (tr): 60 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1300 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO204

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IXTM75N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:579K  ixys
ixth67n10 ixtm67n10 ixth75n10 ixtm75n10 ixtt75n10.pdf

IXTM75N10
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VDSS ID25 RDS(on)MegaMOSTMFETIXTH / IXTM 67N10100 V 67 A 25 mIXTH / IXTM 75N10100 V 75 A 20 mIXTT 75N10N-Channel Enhancement ModeTO-247 AD (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum Ratings(TAB)VDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 100 VTO-204 AE (IXTM)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFZ48N , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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