IXTM75N10 Todos los transistores

 

IXTM75N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTM75N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO204
 

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IXTM75N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:579K  ixys
 ixth67n10 ixtm67n10 ixth75n10 ixtm75n10 ixtt75n10.pdf pdf_icon

IXTM75N10

VDSS ID25 RDS(on)MegaMOSTMFETIXTH / IXTM 67N10100 V 67 A 25 mIXTH / IXTM 75N10100 V 75 A 20 mIXTT 75N10N-Channel Enhancement ModeTO-247 AD (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum Ratings(TAB)VDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 100 VTO-204 AE (IXTM)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30

 9.1. Size:64K  ixys
 ixtm7n45 ixtm7n45a ixtm7n50 ixtm7n50a ixtp7n45 ixtp7n45a ixtp7n50 ixtp7n50a.pdf pdf_icon

IXTM75N10

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History: JCS5N65FB | CED6861 | 2SK1837 | IRFZ44NSPBF

 

 
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