IXTM75N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXTM75N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 300 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 75 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 180 nC
Tiempo de subida (tr): 60 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1300 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: TO204
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IXTM75N10 Datasheet (PDF)
..1. Size:579K ixys
ixth67n10 ixtm67n10 ixth75n10 ixtm75n10 ixtt75n10.pdf
ixth67n10 ixtm67n10 ixth75n10 ixtm75n10 ixtt75n10.pdf
VDSS ID25 RDS(on)MegaMOSTMFETIXTH / IXTM 67N10100 V 67 A 25 mIXTH / IXTM 75N10100 V 75 A 20 mIXTT 75N10N-Channel Enhancement ModeTO-247 AD (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum Ratings(TAB)VDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 100 VTO-204 AE (IXTM)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30
Otros transistores... IXTM50N20 , IXTM5N100 , IXTM5N100A , IXTM67N10 , IXTM6N80 , IXTM6N80A , IXTM6N90 , IXTM6N90A , 8N60 , IXTN21N100 , IXTP15N25MA , IXTP15N25MB , IXTP15N30MA , IXTP15N30MB , IXTP1N100 , IXTP22N15MA , IXTP22N15MB .
