HFS730U Todos los transistores

 

HFS730U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFS730U

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 35 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 400 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V

Carga de compuerta (Qg): 13 nC

Tiempo de elevación (tr): 35 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 70 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-220F

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HFS730U Datasheet (PDF)

1.1. hfs730u.pdf Size:312K _update_mosfet

HFS730U
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Oct 2013 BVDSS = 400 V RDS(on) typ = 0.75 HFS730U ID = 6.0 A 400V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 13 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo

4.1. hfs730.pdf Size:258K _update_mosfet

HFS730U
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Dec 2005 BVDSS = 400 V RDS(on) typ HFS730 ID = 5.5 A 400V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 18 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON

 

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