HFS730U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HFS730U
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HFS730U

HFS730U Datasheet (PDF)

..1. Size:194K semihow
hfs730u.pdf

Oct 2013BVDSS = 400 VRDS(on) typ = 0.75 HFS730U ID = 6.0 A400V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 13 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo

8.1. Size:404K semihow
hfp730f hfs730f.pdf

Dec 2016HFP730F / HFS730F400V N-Channel MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Originative New DesignBVDSS 400 V Very Low Intrinsic CapacitancesID 6A Excellent Switching CharacteristicsRDS(on), Typ 0.8 100% Avalanche TestedQg, Typ 13 nC RoHS CompliantHFP730F HFS730FSymbolTO-220 TO-220FSSDDGGAbsolute Maximum Ratings TC=25 unless oth

8.2. Size:258K semihow
hfs730.pdf

Dec 2005BVDSS = 400 VRDS(on) typ HFS730ID = 5.5 A400V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 18 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON

8.3. Size:281K semihow
hfs730s.pdf

May 2015BVDSS = 400 VRDS(on) typ = 0.75 HFS730S ID = 6.0 A400V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 17 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: