HFS730U. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFS730U

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для HFS730U

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS730U даташит

 ..1. Size:194K  semihow
 hfs730u.pdf pdf_icon

HFS730U

Oct 2013 BVDSS = 400 V RDS(on) typ = 0.75 HFS730U ID = 6.0 A 400V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 13 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo

 8.1. Size:404K  semihow
 hfp730f hfs730f.pdf pdf_icon

HFS730U

Dec 2016 HFP730F / HFS730F 400V N-Channel MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Originative New Design BVDSS 400 V Very Low Intrinsic Capacitances ID 6A Excellent Switching Characteristics RDS(on), Typ 0.8 100% Avalanche Tested Qg, Typ 13 nC RoHS Compliant HFP730F HFS730F Symbol TO-220 TO-220F S S D D G G Absolute Maximum Ratings TC=25 unless oth

 8.2. Size:258K  semihow
 hfs730.pdf pdf_icon

HFS730U

Dec 2005 BVDSS = 400 V RDS(on) typ HFS730 ID = 5.5 A 400V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 18 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON

 8.3. Size:281K  semihow
 hfs730s.pdf pdf_icon

HFS730U

May 2015 BVDSS = 400 V RDS(on) typ = 0.75 HFS730S ID = 6.0 A 400V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 17 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HFS5N80, HFS630, HFS640, HFS6N60U, HFS6N65U, HFS6N70U, HFS6N90, HFS730, IRF830, HFS740, HFS7N80, HFS830, HFS840, HFS8N60S, HFS8N60U, HFS8N65S, HFS8N65U