Справочник MOSFET. HFS730U

 

HFS730U Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFS730U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS730U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:194K  semihow
 hfs730u.pdf pdf_icon

HFS730U

Oct 2013BVDSS = 400 VRDS(on) typ = 0.75 HFS730U ID = 6.0 A400V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 13 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo

 8.1. Size:404K  semihow
 hfp730f hfs730f.pdf pdf_icon

HFS730U

Dec 2016HFP730F / HFS730F400V N-Channel MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Originative New DesignBVDSS 400 V Very Low Intrinsic CapacitancesID 6A Excellent Switching CharacteristicsRDS(on), Typ 0.8 100% Avalanche TestedQg, Typ 13 nC RoHS CompliantHFP730F HFS730FSymbolTO-220 TO-220FSSDDGGAbsolute Maximum Ratings TC=25 unless oth

 8.2. Size:258K  semihow
 hfs730.pdf pdf_icon

HFS730U

Dec 2005BVDSS = 400 VRDS(on) typ HFS730ID = 5.5 A400V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 18 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON

 8.3. Size:281K  semihow
 hfs730s.pdf pdf_icon

HFS730U

May 2015BVDSS = 400 VRDS(on) typ = 0.75 HFS730S ID = 6.0 A400V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 17 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.