HFS730U Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HFS730U
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для HFS730U
HFS730U Datasheet (PDF)
hfs730u.pdf

Oct 2013BVDSS = 400 VRDS(on) typ = 0.75 HFS730U ID = 6.0 A400V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 13 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo
hfp730f hfs730f.pdf

Dec 2016HFP730F / HFS730F400V N-Channel MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Originative New DesignBVDSS 400 V Very Low Intrinsic CapacitancesID 6A Excellent Switching CharacteristicsRDS(on), Typ 0.8 100% Avalanche TestedQg, Typ 13 nC RoHS CompliantHFP730F HFS730FSymbolTO-220 TO-220FSSDDGGAbsolute Maximum Ratings TC=25 unless oth
hfs730.pdf

Dec 2005BVDSS = 400 VRDS(on) typ HFS730ID = 5.5 A400V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 18 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON
hfs730s.pdf

May 2015BVDSS = 400 VRDS(on) typ = 0.75 HFS730S ID = 6.0 A400V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 17 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo
Другие MOSFET... HFS5N80 , HFS630 , HFS640 , HFS6N60U , HFS6N65U , HFS6N70U , HFS6N90 , HFS730 , IRF1405 , HFS740 , HFS7N80 , HFS830 , HFS840 , HFS8N60S , HFS8N60U , HFS8N65S , HFS8N65U .
History: FHP7N60A | HYG110P04LQ2U | IVN5000AND
History: FHP7N60A | HYG110P04LQ2U | IVN5000AND



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2n706 | 2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet