HFS9N50 Todos los transistores

 

HFS9N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFS9N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 9 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V

Carga de compuerta (Qg): 35 nC

Tiempo de elevación (tr): 120 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 150 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.73 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HFS9N50

 

HFS9N50 Datasheet (PDF)

1.1. hfs9n50.pdf Size:160K _update_mosfet

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Mar 2008 BVDSS = 500 V RDS(on) typ HFS9N50 ID = 9.0 A 500V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 35 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(

5.1. sihfs9n60a.pdf Size:212K _upd-mosfet

HFS9N50
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IRFS9N60A, SiHFS9N60A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 600 Definition RDS(on) ()VGS = 10 V 0.75 • Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement Qg (Max.) (nC) 49 • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Qgs (nC) 13 Ruggedness Qgd (nC) 20 • Fully Characterized Capacitance and Avalanch

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
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