HFS9N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HFS9N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.73 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для HFS9N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS9N50 даташит

 ..1. Size:160K  semihow
 hfs9n50.pdf pdf_icon

HFS9N50

Mar 2008 BVDSS = 500 V RDS(on) typ HFS9N50 ID = 9.0 A 500V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES 1 Originative New Design 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 35 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(

 9.1. Size:225K  vishay
 irfs9n60a sihfs9n60a.pdf pdf_icon

HFS9N50

IRFS9N60A, SiHFS9N60A www.vishay.com Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low gate charge Qg results in simple drive VDS (V) 600 requirement RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.75 Available Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt Qg max. (nC) 49 ruggedness Qgs (nC) 13 Available Fully characterized capacitance and avalanche Qgd (nC) 20 voltage and curr

 9.2. Size:212K  vishay
 sihfs9n60a.pdf pdf_icon

HFS9N50

IRFS9N60A, SiHFS9N60A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 600 Definition RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.75 Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement Qg (Max.) (nC) 49 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Qgs (nC) 13 Ruggedness Qgd (nC) 20 Fully Characterized Capacitance and Avalanch

 9.3. Size:612K  semihow
 hfs9n90a.pdf pdf_icon

HFS9N50

Feb 2023 BVDSS = 900 V RDS(on) Typ = 1.4 HFS9N90A ID = 9.0 A 900V N-Channel MOSFET TO-220F FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 52 nC (Typ.) Extended Safe Operat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HFS840, HFS8N60S, HFS8N60U, HFS8N65S, HFS8N65U, HFS8N70S, HFS8N70U, HFS8N80, IRFP064N, HFT1N60S, HFU630, HFW10N60S, HFW11N40, HFW12N60S, HFW50N06, HFW5N50S, HFW5N60S