HFW5N65U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HFW5N65U
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 123 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 650 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 4.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V
Carga de compuerta (Qg): 10.5 nC
Tiempo de elevación (tr): 40 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 60 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2.9 Ohm
Empaquetado / Estuche: D2-PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HFW5N65U
HFW5N65U Datasheet (PDF)
1.1. hfw5n65u.pdf 
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Jan 2013 BVDSS = 650 V RDS(on) typ HFW5N65U / HFI5N65U ID = 4.5 A 650V N-Channel MOSFET D2-PAK I2-PAK FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology HFW5N65U HFI5N65U Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 10.5 nC (Typ.) Exte
3.1. hfw5n65s.pdf Size:174K _update_mosfet
Mar 2010 BVDSS = 650 V RDS(on) typ HFW5N65S / HFI5N65S ID = 4.2 A 650V N-Channel MOSFET D2-PAK I2-PAK FEATURES Originative New Design HFW5N65S HFI5N65S Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 10.5 nC (Typ.) Extended Saf
4.1. hfw5n60s.pdf Size:175K _update_mosfet
Sep 2009 BVDSS = 600 V RDS(on) typ HFW5N60S / HFI5N60S ID = 4.5 A 600V N-Channel MOSFET D2-PAK I2-PAK FEATURES Originative New Design HFW5N60S HFI5N60S Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 10.5 nC (Typ.) Extended Saf
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