HP8KA1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HP8KA1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm

Encapsulados: HSOP8

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HP8KA1 datasheet

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HP8KA1

HP8KA1 Datasheet 30V Nch+Nch Power MOSFET lOutline l HSOP8 VDSS 30V RDS(on)(Max.) 5.0m ID 14A PD 3W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 3) Halogen Free. lPackaging specifications l Embossed Packing Ta

Otros transistores... HFW5N50S, HFW5N60S, HFW5N65S, HFW5N65U, HFW640, HFW6N90, HFW8N65U, HFW9N50, IRLZ44N, HRD13N10K, HRP75N75V, HRS75N75V, HS8K11, HT-3201, HTMN5130SSD, HUF75329D3ST, HUF75332S3ST