HP8KA1 Todos los transistores

 

HP8KA1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HP8KA1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSOP8
 

 Búsqueda de reemplazo de HP8KA1 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HP8KA1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2677K  rohm
hp8ka1.pdf pdf_icon

HP8KA1

HP8KA1Datasheet30V Nch+Nch Power MOSFETlOutlinel HSOP8VDSS30VRDS(on)(Max.) 5.0m ID 14A PD3W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.3) Halogen Free.lPackaging specificationslEmbossed PackingTa

Otros transistores... HFW5N50S , HFW5N60S , HFW5N65S , HFW5N65U , HFW640 , HFW6N90 , HFW8N65U , HFW9N50 , IRFP260N , HRD13N10K , HRP75N75V , HRS75N75V , HS8K11 , HT-3201 , HTMN5130SSD , HUF75329D3ST , HUF75332S3ST .

History: HM2310 | WMN11N80M3 | RFD10P03L | SI7120ADN | STK830D | IRL6342PBF

 

 
Back to Top

 


 
.