HP8KA1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HP8KA1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
Paquete / Cubierta: HSOP8
Búsqueda de reemplazo de HP8KA1 MOSFET
HP8KA1 Datasheet (PDF)
hp8ka1.pdf

HP8KA1Datasheet30V Nch+Nch Power MOSFETlOutlinel HSOP8VDSS30VRDS(on)(Max.) 5.0m ID 14A PD3W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.3) Halogen Free.lPackaging specificationslEmbossed PackingTa
Otros transistores... HFW5N50S , HFW5N60S , HFW5N65S , HFW5N65U , HFW640 , HFW6N90 , HFW8N65U , HFW9N50 , IRFP260N , HRD13N10K , HRP75N75V , HRS75N75V , HS8K11 , HT-3201 , HTMN5130SSD , HUF75329D3ST , HUF75332S3ST .
History: HM2310 | WMN11N80M3 | RFD10P03L | SI7120ADN | STK830D | IRL6342PBF
History: HM2310 | WMN11N80M3 | RFD10P03L | SI7120ADN | STK830D | IRL6342PBF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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