HP8KA1 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HP8KA1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
Тип корпуса: HSOP8
Аналог (замена) для HP8KA1
HP8KA1 Datasheet (PDF)
hp8ka1.pdf

HP8KA1Datasheet30V Nch+Nch Power MOSFETlOutlinel HSOP8VDSS30VRDS(on)(Max.) 5.0m ID 14A PD3W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.3) Halogen Free.lPackaging specificationslEmbossed PackingTa
Другие MOSFET... HFW5N50S , HFW5N60S , HFW5N65S , HFW5N65U , HFW640 , HFW6N90 , HFW8N65U , HFW9N50 , IRFB4110 , HRD13N10K , HRP75N75V , HRS75N75V , HS8K11 , HT-3201 , HTMN5130SSD , HUF75329D3ST , HUF75332S3ST .
History: IXTP260N055T2 | IXTP26P10T | WFW18N50W
History: IXTP260N055T2 | IXTP26P10T | WFW18N50W



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
13009 transistor | irf3205 equivalent | ksa992 transistor | 2n2926 | ksa992 pinout | 2n1308 transistor | p609 | bc327-40