HP8KA1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HP8KA1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC
trⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
Тип корпуса: HSOP8
HP8KA1 Datasheet (PDF)
..1. Size:2677K rohm
hp8ka1.pdf
hp8ka1.pdf
HP8KA1Datasheet30V Nch+Nch Power MOSFETlOutlinel HSOP8VDSS30VRDS(on)(Max.) 5.0m ID 14A PD3W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.3) Halogen Free.lPackaging specificationslEmbossed PackingTa
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918