HP8KA1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HP8KA1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: HSOP8

Аналог (замена) для HP8KA1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HP8KA1 даташит

 ..1. Size:2677K  rohm
 hp8ka1.pdf pdf_icon

HP8KA1

HP8KA1 Datasheet 30V Nch+Nch Power MOSFET lOutline l HSOP8 VDSS 30V RDS(on)(Max.) 5.0m ID 14A PD 3W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 3) Halogen Free. lPackaging specifications l Embossed Packing Ta

Другие IGBT... HFW5N50S, HFW5N60S, HFW5N65S, HFW5N65U, HFW640, HFW6N90, HFW8N65U, HFW9N50, IRLZ44N, HRD13N10K, HRP75N75V, HRS75N75V, HS8K11, HT-3201, HTMN5130SSD, HUF75329D3ST, HUF75332S3ST