HUF75545S3ST MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HUF75545S3ST
   Código: 75545S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 270 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 195 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HUF75545S3ST

HUF75545S3ST Datasheet (PDF)

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HUF75545P3, HUF75545S3, HUF75545S3SData Sheet September 200275A, 80V, 0.010 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABDRAINFeaturesSOURCE (FLANGE)DRAINGATE Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.010, VGS = 10VGATE Simulation ModelsSOURCE- Temperature Compensated PSPICE and SABER DRAINElectrical Models (FLANG

3.1. Size:270K fairchild semi
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HUF75545P3, HUF75545S3SData Sheet October 2013N-Channel UltraFET Power MOSFET80 V, 75 A, 10 mFeaturesPackaging Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.010, VGS = 10VJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABDRAIN Simulation ModelsSOURCE (FLANGE)DRAIN- Temperature Compensated PSPICE and SABERGATEElectrical ModelsGATE- Spice and SABER Thermal Impedance Models

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HUF75542P3, HUF75542S3SData Sheet December 200175A, 80V, 0.014 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABFeaturesSOURCEDRAIN Ultra Low On-ResistanceGATE- rDS(ON) = 0.014, VGS = 10V Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEElectrical ModelsDRAIN- Spice and SABER Thermal Impedance Model

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Liste

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