Справочник MOSFET. HUF75545S3ST

 

HUF75545S3ST Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HUF75545S3ST
   Маркировка: 75545S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 195 nC
   trⓘ - Время нарастания: 125 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO-263AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HUF75545S3ST Datasheet (PDF)

 ..1. Size:267K  fairchild semi
 huf75545s3 huf75545s3st.pdf pdf_icon

HUF75545S3ST

HUF75545P3, HUF75545S3, HUF75545S3SData Sheet September 200275A, 80V, 0.010 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABDRAINFeaturesSOURCE (FLANGE)DRAINGATE Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.010, VGS = 10VGATE Simulation ModelsSOURCE- Temperature Compensated PSPICE and SABER DRAINElectrical Models (FLANG

 3.1. Size:270K  fairchild semi
 huf75545p3 huf75545s3 huf75545s3s.pdf pdf_icon

HUF75545S3ST

HUF75545P3, HUF75545S3, HUF75545S3SData Sheet September 200275A, 80V, 0.010 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABDRAINFeaturesSOURCE (FLANGE)DRAINGATE Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.010, VGS = 10VGATE Simulation ModelsSOURCE- Temperature Compensated PSPICE and SABER DRAINElectrical Models (FLANG

 3.2. Size:805K  onsemi
 huf75545p3 huf75545s3s.pdf pdf_icon

HUF75545S3ST

HUF75545P3, HUF75545S3SData Sheet October 2013N-Channel UltraFET Power MOSFET80 V, 75 A, 10 mFeaturesPackaging Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.010, VGS = 10VJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABDRAIN Simulation ModelsSOURCE (FLANGE)DRAIN- Temperature Compensated PSPICE and SABERGATEElectrical ModelsGATE- Spice and SABER Thermal Impedance Models

 7.1. Size:192K  fairchild semi
 huf75542p3-s3s.pdf pdf_icon

HUF75545S3ST

HUF75542P3, HUF75542S3SData Sheet December 200175A, 80V, 0.014 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABFeaturesSOURCEDRAIN Ultra Low On-ResistanceGATE- rDS(ON) = 0.014, VGS = 10V Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEElectrical ModelsDRAIN- Spice and SABER Thermal Impedance Model

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: CED05P03 | TA17656 | HUF76145S3S | UTT18P10G-TA3-T | SVG086R0NDTR

 

 
Back to Top

 


 
.