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HUF75631S3ST MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HUF75631S3ST
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 57 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 295 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263AB
 

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HUF75631S3ST Datasheet (PDF)

 ..1. Size:200K  fairchild semi
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HUF75631S3ST

HUF75631P3, HUF75631S3STData Sheet December 200133A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABFeaturesSOURCE DRAINDRAIN (FLANGE) Ultra Low On-ResistanceGATE- rDS(ON) = 0.040, VGS = 10VGATE Simulation ModelsSOURCE- Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical ModelsDRAIN (FLANGE)- Spice an

 3.1. Size:202K  fairchild semi
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HUF75631S3ST

HUF75631P3, HUF75631S3STData Sheet December 200133A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABFeaturesSOURCE DRAINDRAIN (FLANGE) Ultra Low On-ResistanceGATE- rDS(ON) = 0.040, VGS = 10VGATE Simulation ModelsSOURCE- Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical ModelsDRAIN (FLANGE)- Spice an

 5.1. Size:254K  fairchild semi
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HUF75631S3ST

HUF75631SK8Data Sheet December 20015.5A, 100V, 0.039 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC MS-012AAFeaturesBRANDING DASH Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.039, VGS = 10V5 Simulation Models1 - Temperature Compensated PSPICE and SABER 2Electrical Models34- Spice and SABER Thermal Impedance Models- www.fairchildsemi.comSymbol

 5.2. Size:249K  fairchild semi
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HUF75631S3ST

HUF75631SK8Data Sheet December 20015.5A, 100V, 0.039 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC MS-012AAFeaturesBRANDING DASH Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.039, VGS = 10V5 Simulation Models1 - Temperature Compensated PSPICE and SABER 2Electrical Models34- Spice and SABER Thermal Impedance Models- www.fairchildsemi.comSymbol

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