Справочник MOSFET. HUF75631S3ST

 

HUF75631S3ST MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: HUF75631S3ST

Маркировка: 75631S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 33 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 66 nC

Время нарастания (tr): 57 ns

Выходная емкость (Cd): 295 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO-263AB

Аналог (замена) для HUF75631S3ST

 

 

HUF75631S3ST Datasheet (PDF)

1.1. huf75631sk8t.pdf Size:249K _update_mosfet

HUF75631S3ST
HUF75631S3ST

 HUF75631SK8 Data Sheet December 2001 5.5A, 100V, 0.039 Ohm, N-Channel, UltraFET® Power MOSFET Packaging JEDEC MS-012AA Features BRANDING DASH • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.039Ω, VGS = 10V 5 • Simulation Models 1 - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ 2 Electrical Models 3 4 - Spice and SABER Thermal Impedance Models - www.fairchildsemi.com Symbol

1.2. huf75631s3st.pdf Size:200K _update_mosfet

HUF75631S3ST
HUF75631S3ST

HUF75631P3, HUF75631S3ST Data Sheet December 2001 33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel, UltraFET® Power MOSFETs Packaging JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Features SOURCE DRAIN DRAIN (FLANGE) • Ultra Low On-Resistance GATE - rDS(ON) = 0.040Ω, VGS = 10V GATE • Simulation Models SOURCE - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Electrical Models DRAIN (FLANGE) - Spice an

 1.3. huf75631sk8.pdf Size:254K _fairchild_semi

HUF75631S3ST
HUF75631S3ST

 HUF75631SK8 Data Sheet December 2001 5.5A, 100V, 0.039 Ohm, N-Channel, UltraFET® Power MOSFET Packaging JEDEC MS-012AA Features BRANDING DASH • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.039Ω, VGS = 10V 5 • Simulation Models 1 - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ 2 Electrical Models 3 4 - Spice and SABER Thermal Impedance Models - www.fairchildsemi.com Symbol

1.4. huf75631s3s.pdf Size:202K _fairchild_semi

HUF75631S3ST
HUF75631S3ST

HUF75631P3, HUF75631S3ST Data Sheet December 2001 33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs Packaging JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Features SOURCE DRAIN DRAIN (FLANGE) Ultra Low On-Resistance GATE - rDS(ON) = 0.040?, VGS = 10V GATE Simulation Models SOURCE - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical Models DRAIN (FLANGE) - Spice and SABER Therm

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


HUF75631S3ST
  HUF75631S3ST
  HUF75631S3ST
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: US6U37 | US6M2 | US6M11 | US6M1 | US6K4 | US6K2 | US6K1 | US6J11 | US5U38 | US5U35 | US5U30 | US5U3 | US5U29TR | US5U2 | US5U1 |
 

 

 

 

 

Back to Top