Справочник MOSFET. HUF75631S3ST

 

HUF75631S3ST Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HUF75631S3ST
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 57 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 295 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO-263AB
 

 Аналог (замена) для HUF75631S3ST

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HUF75631S3ST Datasheet (PDF)

 ..1. Size:200K  fairchild semi
 huf75631s3st.pdf pdf_icon

HUF75631S3ST

HUF75631P3, HUF75631S3STData Sheet December 200133A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABFeaturesSOURCE DRAINDRAIN (FLANGE) Ultra Low On-ResistanceGATE- rDS(ON) = 0.040, VGS = 10VGATE Simulation ModelsSOURCE- Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical ModelsDRAIN (FLANGE)- Spice an

 3.1. Size:202K  fairchild semi
 huf75631s3s.pdf pdf_icon

HUF75631S3ST

HUF75631P3, HUF75631S3STData Sheet December 200133A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABFeaturesSOURCE DRAINDRAIN (FLANGE) Ultra Low On-ResistanceGATE- rDS(ON) = 0.040, VGS = 10VGATE Simulation ModelsSOURCE- Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical ModelsDRAIN (FLANGE)- Spice an

 5.1. Size:254K  fairchild semi
 huf75631sk8.pdf pdf_icon

HUF75631S3ST

HUF75631SK8Data Sheet December 20015.5A, 100V, 0.039 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC MS-012AAFeaturesBRANDING DASH Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.039, VGS = 10V5 Simulation Models1 - Temperature Compensated PSPICE and SABER 2Electrical Models34- Spice and SABER Thermal Impedance Models- www.fairchildsemi.comSymbol

 5.2. Size:249K  fairchild semi
 huf75631sk8t.pdf pdf_icon

HUF75631S3ST

HUF75631SK8Data Sheet December 20015.5A, 100V, 0.039 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC MS-012AAFeaturesBRANDING DASH Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.039, VGS = 10V5 Simulation Models1 - Temperature Compensated PSPICE and SABER 2Electrical Models34- Spice and SABER Thermal Impedance Models- www.fairchildsemi.comSymbol

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HUF75345S3ST , HUF75531SK8T , HUF75545S3 , HUF75545S3ST , HUF75617D3 , HUF75617D3S , HUF75617D3ST , HUF75623S3ST , IRF4905 , HUF75631SK8T , HUF75637S3 , HUF75637S3ST , HUF75639S3ST , HUF75645S3ST , HUF75829D3 , HUF75829D3S , HUF75829D3ST .

History: SIHD3N50DA | STB13NK60ZT4 | SST90R1K5S | NCE8601B | IXFB300N10P | RUH1H150S | IPI051N15N5

 

 
Back to Top

 


 
.