HUF75831SK8T Todos los transistores

 

HUF75831SK8T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HUF75831SK8T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 275 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm
   Paquete / Cubierta: MS-012AA
 

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HUF75831SK8T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:247K  fairchild semi
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HUF75831SK8T

HUF75831SK8Data Sheet December 20013A, 150V, 0.095 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC MS-012AAFeaturesBRANDING DASH Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.095, VGS = 10V Simulation Models5- Temperature Compensated PSPICE and SABER 1 Electrical Models2- Spice and SABER Thermal Impedance Models34- www.fairchildsemi.com Peak

 8.1. Size:193K  fairchild semi
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HUF75831SK8T

HUF75852G3Data Sheet December 200175A, 150V, 0.016 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-247FeaturesSOURCE Ultra Low On-ResistanceDRAINGATE- rDS(ON) = 0.016, VGS = 10V Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical Models- Spice and SABER Thermal Impedance Models- www.fairchildsemi.comDRAIN(TAB) Pe

 8.2. Size:197K  fairchild semi
huf75842p3.pdf pdf_icon

HUF75831SK8T

HUF75842P3, HUF75842S3SData Sheet December 200143A, 150V, 0.042 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABFeaturesSOURCE DRAIN Ultra Low On-ResistanceDRAIN (FLANGE)GATE- rDS(ON) = 0.042, VGS = 10VGATE Simulation ModelsSOURCE - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical ModelsDRAIN- Spice and SABER Therm

 8.3. Size:259K  fairchild semi
huf75852g3 f085.pdf pdf_icon

HUF75831SK8T

HUFA75852G3_F085Data Sheet December 201175A, 150V, 0.016 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-247FeaturesSOURCE Ultra Low On-ResistanceDRAINGATE- rDS(ON) = 0.016, VGS = 10V Peak Current vs Pulse Width Curve UIS Rating Curve Qualified to AEC Q101 RoHS CompliantDRAIN(TAB)Ordering InformationSymbolPART NUMBER PACKAGE BRA

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History: SHD230704 | PSMN005-25D | TK6Q65W | 2SK3645-01MR | 2SJ503 | STU2LN60K3 | CS10N65K

 

 
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