HUF76429S3ST Todos los transistores

 

HUF76429S3ST MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HUF76429S3ST
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 203 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263AB
 

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HUF76429S3ST Datasheet (PDF)

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HUF76429S3ST

HUF76429P3, HUF76429S3SData Sheet December 200144A, 60V, 0.025 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingFeaturesJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-ResistanceDRAINSOURCE- rDS(ON) = 0.022, VGS = 10VDRAIN (FLANGE)GATE- rDS(ON) = 0.025, VGS = 5V Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEElect

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HUF76429S3ST

HUF76429P3, HUF76429S3SData Sheet December 200144A, 60V, 0.025 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingFeaturesJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-ResistanceDRAINSOURCE- rDS(ON) = 0.022, VGS = 10VDRAIN (FLANGE)GATE- rDS(ON) = 0.025, VGS = 5V Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEElect

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HUF76429S3ST

HUFA76429D3ST_F085 Data Sheet September 201020A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingFeatures Ultra Low On-ResistanceJEDEC TO-252AA- rDS(ON) = 0.023, VGS = 10V- rDS(ON) = 0.027, VGS = 5VDRAIN (FLANGE) Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER Electriecal ModelsGATE- Spice and SABER Thermal Im

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HUF76429S3ST

HUF76429D3, HUF76429D3SData Sheet February 200520A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AAFeatures Ultra Low On-ResistanceDRAIN- rDS(ON) = 0.023, VGS = 10VSOURCE (FLANGE)DRAIN- rDS(ON) = 0.027, VGS = 5VGATE Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEElect

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History: IXFT20N100P | SSM3K315T | BL7N65B-A | TSP8N65M | IPD60R280PFD7S | BL7N70-U | BSF077N06NT3G

 

 
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