HUF76437S3ST Todos los transistores

 

HUF76437S3ST MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HUF76437S3ST
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 155 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 71 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 216 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 695 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

HUF76437S3ST Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  fairchild semi
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HUF76437S3ST

HUF76437P3, HUF76437S3SData Sheet December 200164A, 60V, 0.017 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingFeaturesJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-ResistanceSOURCEDRAIN- rDS(ON) = 0.014, VGS = 10VDRAIN (FLANGE)GATE- rDS(ON) = 0.017, VGS = 5V Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEEle

 7.1. Size:209K  fairchild semi
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HUF76437S3ST

HUF76439P3, HUF76439S3SData Sheet December 200171A, 60V, 0.014 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingFeaturesJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.012, VGS = 10VSOURCEDRAIN- rDS(ON) = 0.014, VGS = 5VDRAIN (FLANGE)GATE Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER GATEElectrical

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HUF76437S3ST

HUF76439P3, HUF76439S3SData Sheet December 200171A, 60V, 0.014 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingFeaturesJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.012, VGS = 10VSOURCEDRAIN- rDS(ON) = 0.014, VGS = 5VDRAIN (FLANGE)GATE Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER GATEElectrical

 7.3. Size:221K  fairchild semi
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HUF76437S3ST

HUF76432P3, HUF76432S3SData Sheet December 200155A, 60V, 0.019 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABFeatures Ultra Low On-ResistanceSOURCE DRAINDRAIN (FLANGE) - rDS(ON) = 0.017, VGS = 10VGATE- rDS(ON) = 0.019, VGS = 5VGATE Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEElectr

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History: 2SJ362 | PMN50UPE

 

 
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