HUF76437S3ST. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HUF76437S3ST

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 155 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 71 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 216 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 695 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO-263AB

Аналог (замена) для HUF76437S3ST

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HUF76437S3ST даташит

 ..1. Size:215K  fairchild semi
 huf76437s3st.pdf pdf_icon

HUF76437S3ST

HUF76437P3, HUF76437S3S Data Sheet December 2001 64A, 60V, 0.017 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.014 , VGS = 10V DRAIN (FLANGE) GATE - rDS(ON) = 0.017 , VGS = 5V Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE Ele

 7.1. Size:209K  fairchild semi
 huf76439s3st.pdf pdf_icon

HUF76437S3ST

HUF76439P3, HUF76439S3S Data Sheet December 2001 71A, 60V, 0.014 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.012 , VGS = 10V SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.014 , VGS = 5V DRAIN (FLANGE) GATE Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE and SABER GATE Electrical

 7.2. Size:210K  fairchild semi
 huf76439s3s.pdf pdf_icon

HUF76437S3ST

HUF76439P3, HUF76439S3S Data Sheet December 2001 71A, 60V, 0.014 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.012 , VGS = 10V SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.014 , VGS = 5V DRAIN (FLANGE) GATE Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE and SABER GATE Electrical

 7.3. Size:221K  fairchild semi
 huf76432p3-s3s.pdf pdf_icon

HUF76437S3ST

HUF76432P3, HUF76432S3S Data Sheet December 2001 55A, 60V, 0.019 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Features Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN DRAIN (FLANGE) - rDS(ON) = 0.017 , VGS = 10V GATE - rDS(ON) = 0.019 , VGS = 5V GATE Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE Electr

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HUF76013D3ST, HUF76013P3, HUF76145S3, HUF76407D3ST, HUF76419D3ST, HUF76419S3ST, HUF76429D3ST, HUF76429S3ST, BS170, HUF76439S3ST, HUF76445S3ST, HUF76609D3ST, HUF76619D3ST, HUF76629D3ST, HUF76633S3ST, HUFA75307D3, HUFA75307D3S