Справочник MOSFET. HUF76437S3ST

 

HUF76437S3ST MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: HUF76437S3ST

Маркировка: 76437S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 155 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 71 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 59 nC

Время нарастания (tr): 216 ns

Выходная емкость (Cd): 695 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO-263AB

Аналог (замена) для HUF76437S3ST

 

 

HUF76437S3ST Datasheet (PDF)

1.1. huf76437s3st.pdf Size:215K _update_mosfet

HUF76437S3ST
HUF76437S3ST

HUF76437P3, HUF76437S3S Data Sheet December 2001 64A, 60V, 0.017 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET® Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB • Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.014Ω, VGS = 10V DRAIN (FLANGE) GATE - rDS(ON) = 0.017Ω, VGS = 5V • Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ SOURCE Ele

3.1. huf76439s3st.pdf Size:209K _update_mosfet

HUF76437S3ST
HUF76437S3ST

HUF76439P3, HUF76439S3S Data Sheet December 2001 71A, 60V, 0.014 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET® Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.012Ω, VGS = 10V SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.014Ω, VGS = 5V DRAIN (FLANGE) GATE • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ GATE Electrical

3.2. huf76439s3s.pdf Size:210K _fairchild_semi

HUF76437S3ST
HUF76437S3ST

HUF76439P3, HUF76439S3S Data Sheet December 2001 71A, 60V, 0.014 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.012?, VGS = 10V SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.014?, VGS = 5V DRAIN (FLANGE) GATE Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE and SABER GATE Electrical Models SOURCE

 3.3. huf76432p3-s3s.pdf Size:221K _fairchild_semi

HUF76437S3ST
HUF76437S3ST

HUF76432P3, HUF76432S3S Data Sheet December 2001 55A, 60V, 0.019 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET® Power MOSFET Packaging JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Features • Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN DRAIN (FLANGE) - rDS(ON) = 0.017Ω, VGS = 10V GATE - rDS(ON) = 0.019Ω, VGS = 5V GATE • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ SOURCE Electr

Другие MOSFET... HUF76013D3ST , HUF76013P3 , HUF76145S3 , HUF76407D3ST , HUF76419D3ST , HUF76419S3ST , HUF76429D3ST , HUF76429S3ST , IRFB4227 , HUF76439S3ST , HUF76445S3ST , HUF76609D3ST , HUF76619D3ST , HUF76629D3ST , HUF76633S3ST , HUFA75307D3 , HUFA75307D3S .

 

 

Back to Top