HUF76439S3ST Todos los transistores

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HUF76439S3ST MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HUF76439S3ST

Código: 76439S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 180 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 16 V

Corriente continua de drenaje (Id): 75 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3 V

Carga de compuerta (Qg): 70 nC

Tiempo de elevación (tr): 125 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 840 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.012 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-263AB

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HUF76439S3ST Datasheet (PDF)

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HUF76439P3, HUF76439S3S Data Sheet December 2001 71A, 60V, 0.014 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET® Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.012Ω, VGS = 10V SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.014Ω, VGS = 5V DRAIN (FLANGE) GATE • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ GATE Electrical

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HUF76439P3, HUF76439S3S Data Sheet December 2001 71A, 60V, 0.014 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.012?, VGS = 10V SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.014?, VGS = 5V DRAIN (FLANGE) GATE Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE and SABER GATE Electrical Models SOURCE

 3.1. huf76437s3st.pdf Size:215K _update_mosfet

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HUF76437P3, HUF76437S3S Data Sheet December 2001 64A, 60V, 0.017 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET® Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB • Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.014Ω, VGS = 10V DRAIN (FLANGE) GATE - rDS(ON) = 0.017Ω, VGS = 5V • Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ SOURCE Ele

3.2. huf76432p3-s3s.pdf Size:221K _fairchild_semi

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HUF76432P3, HUF76432S3S Data Sheet December 2001 55A, 60V, 0.019 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET® Power MOSFET Packaging JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Features • Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN DRAIN (FLANGE) - rDS(ON) = 0.017Ω, VGS = 10V GATE - rDS(ON) = 0.019Ω, VGS = 5V GATE • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ SOURCE Electr

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