HUF76633S3ST Todos los transistores

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HUF76633S3ST MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HUF76633S3ST

Código: 76633S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 145 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 16 V

Corriente continua de drenaje (Id): 39 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3 V

Carga de compuerta (Qg): 56 nC

Tiempo de elevación (tr): 55 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 415 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.035 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-263AB

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HUF76633S3ST Datasheet (PDF)

1.1. huf76633s3st.pdf Size:216K _update_mosfet

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HUF76633P3, HUF76633S3S Data Sheet December 2001 38A, 100V, 0.036 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET® Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB • Ultra Low On-Resistance DRAIN SOURCE (FLANGE) - rDS(ON) = 0.035Ω, VGS = 10V DRAIN GATE - rDS(ON) = 0.036Ω, VGS = 5V • Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ SOURCE El

2.1. huf76633p3-s3s.pdf Size:223K _fairchild_semi

HUF76633S3ST
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HUF76633P3, HUF76633S3S Data Sheet December 2001 38A, 100V, 0.036 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET® Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB • Ultra Low On-Resistance DRAIN SOURCE (FLANGE) - rDS(ON) = 0.035Ω, VGS = 10V DRAIN GATE - rDS(ON) = 0.036Ω, VGS = 5V • Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ SOURCE El

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HUF76633S3ST
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HUF76633P3_F085 Data Sheet April 2012 38A, 100V, 0.036 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET® Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.035Ω, VGS = 10V SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.036Ω, VGS = 5V GATE • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Electrical Models - Spice and SABER Thermal Impedance Model

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