HUFA75823D3S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HUFA75823D3S
Código: 75823D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 43 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252AA
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HUFA75823D3S
HUFA75823D3S Datasheet (PDF)
hufa75823d3s hufa75823d3st.pdf
HUFA75823D3, HUFA75823D3SData Sheet December 200114A, 150V, 0.150 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AAFeaturesDRAIN (FLANGE) Ultra Low On-ResistanceSOURCEDRAIN- rDS(ON) = 0.150, VGS = 10VGATEGATE Simulation ModelsSOURCE- Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical ModelsDRAIN (FLANGE)- Spice
huf75829d3st huf75829d3 huf75829d3s hufa75829d3s hufa75829d3st.pdf
HUFA75829D3, HUFA75829D3SData Sheet December 200118A, 150V, 0.110 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETsPackagingJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AAFeaturesDRAIN Ultra Low On-ResistanceSOURCE (FLANGE)DRAIN- rDS(ON) = 0.110, VGS = 10VGATEGATE Simulation ModelsSOURCE- Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical ModelsDRAIN (FLANGE)- Spice
hufa75852g3.pdf
HUFA75852G3_F085Data Sheet December 201175A, 150V, 0.016 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-247FeaturesSOURCE Ultra Low On-ResistanceDRAINGATE- rDS(ON) = 0.016, VGS = 10V Peak Current vs Pulse Width Curve UIS Rating Curve Qualified to AEC Q101 RoHS CompliantDRAIN(TAB)Ordering InformationSymbolPART NUMBER PACKAGE BRA
hufa75842p3 hufa75842s3s hufa75842s3st.pdf
HUFA75842P3, HUFA75842S3SData Sheet November 2000 File Number 496843A, 150V, 0.042 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABFeaturesSOURCE DRAIN Ultra Low On-ResistanceDRAIN (FLANGE)GATE- rDS(ON) = 0.042, VGS = 10V Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER GATESOURCEElectrical ModelsDRAIN-
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Liste
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