HUFA75823D3S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HUFA75823D3S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: TO-252AA

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HUFA75823D3S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HUFA75823D3S даташит

 ..1. Size:210K  fairchild semi
 hufa75823d3s hufa75823d3st.pdf pdf_icon

HUFA75823D3S

HUFA75823D3, HUFA75823D3S Data Sheet December 2001 14A, 150V, 0.150 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET Packaging JEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Features DRAIN (FLANGE) Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.150 , VGS = 10V GATE GATE Simulation Models SOURCE - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical Models DRAIN (FLANGE) - Spice

 6.1. Size:191K  fairchild semi
 huf75829d3st huf75829d3 huf75829d3s hufa75829d3s hufa75829d3st.pdf pdf_icon

HUFA75823D3S

HUFA75829D3, HUFA75829D3S Data Sheet December 2001 18A, 150V, 0.110 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs Packaging JEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Features DRAIN Ultra Low On-Resistance SOURCE (FLANGE) DRAIN - rDS(ON) = 0.110 , VGS = 10V GATE GATE Simulation Models SOURCE - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical Models DRAIN (FLANGE) - Spice

 7.1. Size:243K  fairchild semi
 hufa75852g3.pdf pdf_icon

HUFA75823D3S

HUFA75852G3_F085 Data Sheet December 2011 75A, 150V, 0.016 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET Packaging JEDEC TO-247 Features SOURCE Ultra Low On-Resistance DRAIN GATE - rDS(ON) = 0.016 , VGS = 10V Peak Current vs Pulse Width Curve UIS Rating Curve Qualified to AEC Q101 RoHS Compliant DRAIN (TAB) Ordering Information Symbol PART NUMBER PACKAGE BRA

 7.2. Size:139K  fairchild semi
 hufa75842p3 hufa75842s3s hufa75842s3st.pdf pdf_icon

HUFA75823D3S

HUFA75842P3, HUFA75842S3S Data Sheet November 2000 File Number 4968 43A, 150V, 0.042 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET Packaging JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Features SOURCE DRAIN Ultra Low On-Resistance DRAIN (FLANGE) GATE - rDS(ON) = 0.042 , VGS = 10V Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE and SABER GATE SOURCE Electrical Models DRAIN -

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HUFA75637P3, HUFA75637S3S, HUFA75637S3ST, HUFA75639G3, HUFA75639P3, HUFA75639S3ST, HUFA75645P3, HUFA75652G3, IRF3710, HUFA75823D3ST, HUFA75829D3S, HUFA75829D3ST, HUFA75842P3, HUFA75842S3S, HUFA75842S3ST, HUFA75852G3, HUFA76407D3