HUFA76419S3S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HUFA76419S3S
   Código: 76419S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 75 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 16 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 29 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 22 nC
   Tiempo de subida (tr): 150 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 250 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HUFA76419S3S

HUFA76419S3S Datasheet (PDF)

..1. Size:213K fairchild semi
hufa76419p3 hufa76419s3s hufa76419s3st.pdf

HUFA76419P3, HUFA76419S3SData Sheet December 200127A, 60V, 0.040 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingFeaturesJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-ResistanceSOURCE DRAIN- rDS(ON) = 0.035, VGS = 10VDRAIN (FLANGE)GATE - rDS(ON) = 0.040, VGS = 5V Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEEl

5.1. Size:194K fairchild semi
hufa76419d3s.pdf

HUFA76419D3, HUFA76419D3SData Sheet December 200120A, 60V, 0.043 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingFeaturesJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.037, VGS = 10VDRAINDRAIN- rDS(ON) = 0.043, VGS = 5VSOURCE (FLANGE) (FLANGE)DRAINGATE Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER

5.2. Size:197K fairchild semi
hufa76419d3-s hufa76419d f085.pdf