HUFA76419S3S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HUFA76419S3S
Маркировка: 76419S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 29 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 22 nC
Время нарастания (tr): 150 ns
Выходная емкость (Cd): 250 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.035 Ohm
Тип корпуса: TO-263AB
Аналог (замена) для HUFA76419S3S
HUFA76419S3S Datasheet (PDF)
hufa76419p3 hufa76419s3s hufa76419s3st.pdf
HUFA76419P3, HUFA76419S3SData Sheet December 200127A, 60V, 0.040 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingFeaturesJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-ResistanceSOURCE DRAIN- rDS(ON) = 0.035, VGS = 10VDRAIN (FLANGE)GATE - rDS(ON) = 0.040, VGS = 5V Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEEl
hufa76419d3s.pdf
HUFA76419D3, HUFA76419D3SData Sheet December 200120A, 60V, 0.043 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingFeaturesJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.037, VGS = 10VDRAINDRAIN- rDS(ON) = 0.043, VGS = 5VSOURCE (FLANGE) (FLANGE)DRAINGATE Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER
hufa76419d3-s hufa76419d f085.pdf
HUFA76419D3, HUFA76419D3SData Sheet December 200120A, 60V, 0.043 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingFeaturesJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.037, VGS = 10VDRAINDRAIN- rDS(ON) = 0.043, VGS = 5VSOURCE (FLANGE) (FLANGE)DRAINGATE Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER
hufa76419d3.pdf
HUFA76419D3, HUFA76419D3SData Sheet December 200120A, 60V, 0.043 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETsPackagingFeaturesJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.037, VGS = 10VDRAINDRAIN- rDS(ON) = 0.043, VGS = 5VSOURCE (FLANGE) (FLANGE)DRAINGATE Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
