WFD1N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WFD1N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8.5 Ohm

Encapsulados: TO-252

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WFD1N60 datasheet

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WFD1N60

WFD1N60 WFD1N60 WFD1N60 WFD1N60 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 1.3A,600V,R (Max 8.5 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 9.1nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Description This Power MOSFET is produced u

Otros transistores... HUFA76633S3ST, HUFA76639P3, HUFA76639S3S, HUFA76639S3ST, HUFA76645P3, HUFA76645S3S, HUFA76645S3ST, VTI634, IRF1405, WFD20N06, WFD2N60, WFD2N60B, WFD4N60, WFD4N60B, WFD5N50, WFD5N60B, WFD5N60C