WFD1N60 Todos los transistores

 

WFD1N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WFD1N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de WFD1N60 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WFD1N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:576K  winsemi
 wfd1n60.pdf pdf_icon

WFD1N60

WFD1N60WFD1N60WFD1N60WFD1N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 1.3A,600V,R (Max 8.5)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 9.1nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced u

Otros transistores... HUFA76633S3ST , HUFA76639P3 , HUFA76639S3S , HUFA76639S3ST , HUFA76645P3 , HUFA76645S3S , HUFA76645S3ST , VTI634 , IRF1405 , WFD20N06 , WFD2N60 , WFD2N60B , WFD4N60 , WFD4N60B , WFD5N50 , WFD5N60B , WFD5N60C .

History: AP5N04MI | IRFH4257D | JMSL0606AC | NCE30H15B | GSM4102W

 

 
Back to Top

 


 
.