WFD4N60 Todos los transistores

 

WFD4N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WFD4N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de WFD4N60 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WFD4N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:532K  winsemi
 wfd4n60.pdf pdf_icon

WFD4N60

WFD4N60WFD4N60WFD4N60WFD4N60Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 4A,600V.R (Max 2.5)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 16nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage ( VISO = 4000V AC ) Maximum Junction Temperature Range(150)General Descr

 0.1. Size:532K  winsemi
 wfd4n60b.pdf pdf_icon

WFD4N60

WFD4N60BWFD4N60BWFD4N60BWFD4N60BSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 4A,600V.R (Max 2.4)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 16nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage ( VISO = 4000V AC ) Maximum Junction Temperature Range(150)General D

Otros transistores... HUFA76645P3 , HUFA76645S3S , HUFA76645S3ST , VTI634 , WFD1N60 , WFD20N06 , WFD2N60 , WFD2N60B , IRF830 , WFD4N60B , WFD5N50 , WFD5N60B , WFD5N60C , WFD830 , WFD830B , WFF10N60 , WFF10N65 .

 

 
Back to Top

 


 
.