WFF10N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WFF10N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 156 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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WFF10N60 datasheet

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WFF10N60

WFF10N60 WFF10N60 WFF10N60 WFF10N60 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 10A,600V,R (Max 0.75 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 34nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage(V =4000V AC) ISO Improved dv/dt capability General Description This

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WFF10N60

WFF10N65 WFF10N65 WFF10N65 WFF10N65 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 10A,650V,R (Max 0.95 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 43nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage(V =4000V AC) ISO Improved dv/dt capability General Description This

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