PJA3412 Todos los transistores

 

PJA3412 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJA3412
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.056 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

 Búsqueda de reemplazo de PJA3412 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PJA3412 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  panjit
pja3412.pdf pdf_icon

PJA3412

PPJA3412 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit: inch(mm)20 V 4.1A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@4.1A

 8.1. Size:206K  panjit
pja3413.pdf pdf_icon

PJA3412

PPJA3413 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit: inch(mm)Voltage -20 V Current -3.4A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-3.4A

 8.2. Size:202K  panjit
pja3414.pdf pdf_icon

PJA3412

PPJA3414 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit: inch(mm)20 V 5.2A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@5.2A

 8.3. Size:394K  panjit
pja3415ae.pdf pdf_icon

PJA3412

PPJA3415AE 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 Unit : inch(mm) Voltage -20 V Current -4.3A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-4.3A

Otros transistores... PJA3401 , PJA3402 , PJA3404 , PJA3405 , PJA3406 , PJA3407 , PJA3409 , PJA3411 , IRF630 , PJA3413 , PJA3414 , PJA3415 , PJA3416 , PJA3430 , PJA3431 , PJA3432 , PJA3433 .

History: SPB16N50C3 | 2P7154VC

 

 
Back to Top

 


 
.