PJA3433 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJA3433
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.37 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PJA3433
PJA3433 Datasheet (PDF)
pja3433.pdf
PPJA3433 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 Unit: inch(mm)Voltage -30 V Current -1.1A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-1.1A
pja3430.pdf
PPJA3430 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 Unit: inch(mm)20 V 2A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@2.0A
pja3434.pdf
PPJA3434 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit: inch(mm)20 V 750mAVoltage Current Features Low Voltage Drive (1.2V). Advanced Trench Process Technology Specially Designed for Switch Load, PWM Application, etc. ESD Protected Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive.. Green molding compound as per IEC61249 Std. (Halo
pja3431.pdf
PPJA3431 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 Unit: inch(mm)Voltage -20 V Current -1.5A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-1.5A
pja3432.pdf
PPJA3432 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 Unit: inch(mm) 30 V 1.6A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@1.6A
pja3439.pdf
PPJA3439 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit : inch(mm) Voltage -60 V Current -300mA Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-500mA
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Liste
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