PJE8405 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PJE8405

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.39 Ohm

Encapsulados: SOT-523

 Búsqueda de reemplazo de PJE8405 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PJE8405 datasheet

 ..1. Size:233K  panjit
 pje8405.pdf pdf_icon

PJE8405

 8.1. Size:206K  panjit
 pje8404.pdf pdf_icon

PJE8405

PPJE8404 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-523 Unit inch(mm) 30 V 0.6A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@0.6A

 8.2. Size:242K  panjit
 pje8402.pdf pdf_icon

PJE8405

PPJE8402 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-523 Unit inch(mm) 20 V 0.7A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@0.7A

 8.3. Size:262K  panjit
 pje8406.pdf pdf_icon

PJE8405

PPJE8406 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-523 Unit inch(mm) 20 V 800mA Voltage Current Features RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@500mA=0.4 RDS(ON), VGS@2.5V,IDS@300mA=0.7 RDS(ON), VGS@1.8V,IDS@100mA=1.2 (typ) Advanced Trench Process Technology Specially Designed for Load Switch or PWM application. ESD Protected Lead f

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... PJC7406, PJC7407, PJE138K, PJE8400, PJE8401, PJE8402, PJE8403, PJE8404, 13N50, PJE8406, PJL9801, PJQ2888, PJS50N03, PJS6400, PJS6401, PJS6404, PJS6405