PJS50N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJS50N03
Código: N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 12.63 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 19.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.057 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
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PJS50N03 Datasheet (PDF)
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PJS50N0330V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET30 Volts 2.9 AmperesVOLTAGE CURRENTFEATURES RDS(ON), VGS@10V,ID@3.1A
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