PJS50N03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PJS50N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.057 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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PJS50N03 datasheet

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PJS50N03

PJS50N03 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 30 Volts 2.9 Amperes VOLTAGE CURRENT FEATURES RDS(ON), VGS@10V,ID@3.1A

Otros transistores... PJE8401, PJE8402, PJE8403, PJE8404, PJE8405, PJE8406, PJL9801, PJQ2888, IRF1010E, PJS6400, PJS6401, PJS6404, PJS6405, PJS6407, PJS6413, PJS6414, PJS6415