PJS50N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJS50N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.057 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de PJS50N03 MOSFET
PJS50N03 Datasheet (PDF)
pjs50n03.pdf
PJS50N0330V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET30 Volts 2.9 AmperesVOLTAGE CURRENTFEATURES RDS(ON), VGS@10V,ID@3.1A
Otros transistores... PJE8401 , PJE8402 , PJE8403 , PJE8404 , PJE8405 , PJE8406 , PJL9801 , PJQ2888 , IRF530 , PJS6400 , PJS6401 , PJS6404 , PJS6405 , PJS6407 , PJS6413 , PJS6414 , PJS6415 .
History: 2SK1206 | IXTH90P10P | STF32N65M5
History: 2SK1206 | IXTH90P10P | STF32N65M5
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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