PJS50N03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PJS50N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.057 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для PJS50N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJS50N03 даташит

 ..1. Size:219K  panjit
 pjs50n03.pdf pdf_icon

PJS50N03

PJS50N03 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 30 Volts 2.9 Amperes VOLTAGE CURRENT FEATURES RDS(ON), VGS@10V,ID@3.1A

Другие IGBT... PJE8401, PJE8402, PJE8403, PJE8404, PJE8405, PJE8406, PJL9801, PJQ2888, IRF1010E, PJS6400, PJS6401, PJS6404, PJS6405, PJS6407, PJS6413, PJS6414, PJS6415