PJS6401 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PJS6401
   Código: S01
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.071 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23-6L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PJS6401

PJS6401 Datasheet (PDF)

..1. Size:268K panjit
pjs6401.pdf

PPJS6401 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) Voltage -30 V Current -4.6A Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-4.6A

8.1. Size:287K panjit
pjs6400.pdf

PPJS6400 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) Voltage 30 V Current 6.4A Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@6.4A

8.2. Size:256K panjit
pjs6407.pdf

PPJS6407 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) Voltage -30 V Current -4.9A Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-4.9A

8.3. Size:489K panjit
pjs6403.pdf

PPJS6403 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L Unit : inch(mm) Voltage -30 V Current -6.4A Features RDS(ON), VGS@-10V, ID@-4A

8.4. Size:265K panjit
pjs6405.pdf

PPJS6405 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit :inch(mm) Voltage -30 V Current -4.6A Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-4.6A

8.5. Size:254K panjit
pjs6404.pdf

PPJS6404 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) Voltage 30 V Current 6.8A Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@6.8A

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Liste

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