PJS6401 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PJS6401
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 43 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.071 Ohm
Тип корпуса: SOT-23-6L
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
PJS6401 Datasheet (PDF)
pjs6401.pdf

PPJS6401 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) Voltage -30 V Current -4.6A Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-4.6A
pjs6400.pdf

PPJS6400 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) Voltage 30 V Current 6.4A Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@6.4A
pjs6407.pdf

PPJS6407 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) Voltage -30 V Current -4.9A Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-4.9A
pjs6403.pdf

PPJS6403 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L Unit : inch(mm) Voltage -30 V Current -6.4A Features RDS(ON), VGS@-10V, ID@-4A
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: AO4803A | STP5NK60Z



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet | 2sc373 | a1023 datasheet | 2sc1080 | 2sb618 | 2sc1328