IXTZ27N40MB Todos los transistores

 

IXTZ27N40MB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTZ27N40MB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: ZPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXTZ27N40MB Datasheet (PDF)

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Otros transistores... IXTP8N50MB , IXTU01N100 , IXTU01N80 , IXTZ20N60MA , IXTZ20N60MB , IXTZ24N50MA , IXTZ24N50MB , IXTZ27N40MA , IRF540 , IXTZ35N25MA , IXTZ35N25MB , IXTZ42N20MA , IXTZ42N20MB , IXTZ67N10MA , IXTZ67N10MB , J108 , J109 .

History: APT8024LVFRG | ET6309 | 2SK193 | AP2312GN | IRF8852 | BUK7M15-60E | NTD20P06L

 

 
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