PJS6416 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJS6416
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 57 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 74 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23-6L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PJS6416
PJS6416 Datasheet (PDF)
pjs6416.pdf
PPJS6416 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) 20 V 7.4A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@7.4A
pjs6413.pdf
PPJS6413 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) Voltage -20 V Current -4.4A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-4.4A
pjs6415.pdf
PPJS6415 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) Voltage -20 V Current -5.2A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-5.2A
pjs6417.pdf
PPJS6417 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit: inch(mm) Voltage -20 V Current -6.5A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-6.5A
pjs6414.pdf
PPJS6414 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) 20 V 6.6A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@6.6A
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Liste
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