PJS6801 Todos los transistores

 

PJS6801 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJS6801
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.074 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23-6L
 

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PJS6801 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:300K  panjit
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PJS6801

PPJS6801 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) Voltage -30 V Current -3.2A Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-3.2A

 8.1. Size:159K  panjit
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PJS6801

PPJS6809 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) Voltage -30 V Current -2.6A Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-2.6A

 8.2. Size:304K  panjit
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PJS6801

PPJS6806 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) 30 V 4A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@4.0A

 8.3. Size:269K  panjit
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PJS6801

PPJS6800 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm Voltage 30 V Current 3.9A Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@3.9A

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History: 19N20 | DMG10N60SCT | 18N10 | STB155N3LH6 | 100N10NF | LP0404N3T5G | APT30M40B2VRG

 

 
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