PJS6801 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PJS6801
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 43 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.074 Ohm
Тип корпуса: SOT-23-6L
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
PJS6801 Datasheet (PDF)
pjs6801.pdf

PPJS6801 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) Voltage -30 V Current -3.2A Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-3.2A
pjs6809.pdf

PPJS6809 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) Voltage -30 V Current -2.6A Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-2.6A
pjs6806.pdf

PPJS6806 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) 30 V 4A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@4.0A
pjs6800.pdf

PPJS6800 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm Voltage 30 V Current 3.9A Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@3.9A
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: SFB044N100C3 | SE3415 | UTT25P10 | BUK952R8-60E | NVD4805N | AP8600P | AO5404E
History: SFB044N100C3 | SE3415 | UTT25P10 | BUK952R8-60E | NVD4805N | AP8600P | AO5404E



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sa844 | 2sc1327 | 2sc3855 | 2sc945 transistor equivalent | 2sd427 | mje15032 equivalent | 2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent