PJS6811 Todos los transistores

 

PJS6811 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJS6811
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 43 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23-6L
     - Selección de transistores por parámetros

 

PJS6811 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:272K  panjit
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PJS6811

PPJS6811 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) Voltage -20 V Current -2.7A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-2.7A

 8.1. Size:152K  panjit
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PJS6811

PPJS6815 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit: inch(mm)Voltage -20 V Current -3.6A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-3.6A

 8.2. Size:284K  panjit
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PJS6811

PPJS6812 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) 20 V 3.7A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@3.7A

 8.3. Size:254K  panjit
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PJS6811

PPJS6816 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit: inch(mm) 20 V 5.2A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@5.2A

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History: DMN6075S | IPB60R190C6 | NCE65N260F | FCH20N60 | VBZE50P03

 

 
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