PJS6815 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJS6815
Código: S15
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.25 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3.6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.2 V
Carga de la puerta (Qg): 18 nC
Tiempo de subida (tr): 61 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 75 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.057 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23-6L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PJS6815
PJS6815 Datasheet (PDF)
pjs6815.pdf
PPJS6815 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit: inch(mm)Voltage -20 V Current -3.6A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-3.6A
pjs6812.pdf
PPJS6812 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) 20 V 3.7A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@3.7A
pjs6811.pdf
PPJS6811 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) Voltage -20 V Current -2.7A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-2.7A
pjs6816.pdf
PPJS6816 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit: inch(mm) 20 V 5.2A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@5.2A
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