PJS6815. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PJS6815

Маркировка: S15

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 18 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 61 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.057 Ohm

Тип корпуса: SOT-23-6L

Аналог (замена) для PJS6815

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJS6815 даташит

 ..1. Size:152K  panjit
 pjs6815.pdf pdf_icon

PJS6815

PPJS6815 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit inch(mm) Voltage -20 V Current -3.6A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-3.6A

 8.1. Size:284K  panjit
 pjs6812.pdf pdf_icon

PJS6815

PPJS6812 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit inch(mm) 20 V 3.7A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@3.7A

 8.2. Size:272K  panjit
 pjs6811.pdf pdf_icon

PJS6815

PPJS6811 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit inch(mm) Voltage -20 V Current -2.7A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-2.7A

 8.3. Size:254K  panjit
 pjs6816.pdf pdf_icon

PJS6815

PPJS6816 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit inch(mm) 20 V 5.2A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@5.2A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PJS6417, PJS6600, PJS6800, PJS6801, PJS6806, PJS6809, PJS6811, PJS6812, RFP50N06, PJS6816, PJS6832, PJS6833, PJT138K, PJT7408, PJT7600, PJT7800, PJT7801