PJS6833 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PJS6833

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.37 Ohm

Encapsulados: SOT-23-6L

 Búsqueda de reemplazo de PJS6833 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PJS6833 datasheet

 ..1. Size:290K  panjit
 pjs6833.pdf pdf_icon

PJS6833

PPJS6833 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 6L Unit inch(mm) Voltage -30 V Current -1.1A Features RDS(ON) , VGS@-4,5V, ID@-1.1A

 8.1. Size:179K  panjit
 pjs6832.pdf pdf_icon

PJS6833

PPJS6832 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 6L Unit inch(mm) 30 V 1.6A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@1.6A

 9.1. Size:152K  panjit
 pjs6815.pdf pdf_icon

PJS6833

PPJS6815 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit inch(mm) Voltage -20 V Current -3.6A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-3.6A

 9.2. Size:300K  panjit
 pjs6801.pdf pdf_icon

PJS6833

PPJS6801 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit inch(mm) Voltage -30 V Current -3.2A Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-3.2A

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... PJS6801, PJS6806, PJS6809, PJS6811, PJS6812, PJS6815, PJS6816, PJS6832, 18N50, PJT138K, PJT7408, PJT7600, PJT7800, PJT7801, PJT7802, PJW1NA50, PJW1NA60