PJS6833 Todos los transistores

 

PJS6833 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJS6833
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.37 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23-6L
 

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PJS6833 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:290K  panjit
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PJS6833

PPJS6833 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 6L Unit: inch(mm) Voltage -30 V Current -1.1A Features RDS(ON) , VGS@-4,5V, ID@-1.1A

 8.1. Size:179K  panjit
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PJS6833

PPJS6832 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 6L Unit: inch(mm)30 V 1.6A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@1.6A

 9.1. Size:152K  panjit
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PJS6833

PPJS6815 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit: inch(mm)Voltage -20 V Current -3.6A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-3.6A

 9.2. Size:300K  panjit
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PJS6833

PPJS6801 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit : inch(mm) Voltage -30 V Current -3.2A Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-3.2A

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History: AOT66914L | AP2331GN-HF | WM03DP50A | WM03N57M | AONS32310 | CS3N100F | 2SK3466

 

 
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