PJS6833. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PJS6833

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.37 Ohm

Тип корпуса: SOT-23-6L

Аналог (замена) для PJS6833

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJS6833 даташит

 ..1. Size:290K  panjit
 pjs6833.pdf pdf_icon

PJS6833

PPJS6833 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 6L Unit inch(mm) Voltage -30 V Current -1.1A Features RDS(ON) , VGS@-4,5V, ID@-1.1A

 8.1. Size:179K  panjit
 pjs6832.pdf pdf_icon

PJS6833

PPJS6832 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-23 6L Unit inch(mm) 30 V 1.6A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4,5V, ID@1.6A

 9.1. Size:152K  panjit
 pjs6815.pdf pdf_icon

PJS6833

PPJS6815 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit inch(mm) Voltage -20 V Current -3.6A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-3.6A

 9.2. Size:300K  panjit
 pjs6801.pdf pdf_icon

PJS6833

PPJS6801 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 6L-1 Unit inch(mm) Voltage -30 V Current -3.2A Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-3.2A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PJS6801, PJS6806, PJS6809, PJS6811, PJS6812, PJS6815, PJS6816, PJS6832, 18N50, PJT138K, PJT7408, PJT7600, PJT7800, PJT7801, PJT7802, PJW1NA50, PJW1NA60