PJT7801 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJT7801
Código: T01
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 2.2 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-363
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PJT7801
PJT7801 Datasheet (PDF)
pjt7801.pdf
PPJT7801 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-363 Unit: inch(mm)Voltage -20 V Current -0.7A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-0.7A
pjt7802.pdf
PPJT7802 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-363 Unit: inch(mm)20 V 0.5A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@0.5A
pjt7800.pdf
PPJT7800 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-363 Unit: inch(mm)20 V 1A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@1.0A
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History: IRF3205ZSPBF
History: IRF3205ZSPBF
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