PJT7802 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PJT7802

Código: T02

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 0.9 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: SOT-363

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PJT7802 datasheet

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PJT7802

PPJT7802 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-363 Unit inch(mm) 20 V 0.5A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@0.5A

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PJT7802

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PJT7802

PPJT7800 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-363 Unit inch(mm) 20 V 1A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@1.0A

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