Справочник MOSFET. PJT7802

 

PJT7802 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PJT7802
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363

 Аналог (замена) для PJT7802

 

 

PJT7802 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:192K  panjit
 pjt7802.pdf

PJT7802 PJT7802

PPJT7802 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-363 Unit: inch(mm)20 V 0.5A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@0.5A

 8.1. Size:242K  panjit
 pjt7801.pdf

PJT7802 PJT7802

PPJT7801 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-363 Unit: inch(mm)Voltage -20 V Current -0.7A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-0.7A

 8.2. Size:235K  panjit
 pjt7800.pdf

PJT7802 PJT7802

PPJT7800 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-363 Unit: inch(mm)20 V 1A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@1.0A

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top