PJW1NA80 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

PJW1NA80 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PJW1NA80

Código: 1NA80

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 6 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 17 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 16 Ohm

Encapsulados: SOT-223

Búsqueda de reemplazo de PJW1NA80 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

..1. Size:364K panjit
pjd1na80 pjp1na80 pju1na80 pjw1na80.pdf pdf_icon

PPJW1NA80 / PJU1NA80 / PJD1NA80 / PJP1NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A

8.1. Size:424K panjit
pjd1na50 pjn1na50 pju1na50 pjw1na50.pdf pdf_icon

PPJN1NA50 / PJW1NA50 / PJU1NA50 / PJD1NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A

8.2. Size:411K panjit
pjd1na60 pjn1na60 pju1na60 pjw1na60.pdf pdf_icon

PPJN1NA60 / PJW1NA60 / PJU1NA60 / PJD1NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A

PPJN1NA60A / PJW1NA60A / PJU1NA60A / PJD1NA60A 600V N-Channel MOSFET 600 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A