Справочник MOSFET. PJW1NA80

 

PJW1NA80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJW1NA80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 17 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 16 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для PJW1NA80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJW1NA80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:364K  panjit
 pjd1na80 pjp1na80 pju1na80 pjw1na80.pdf pdf_icon

PJW1NA80

PPJW1NA80 / PJU1NA80 / PJD1NA80 / PJP1NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A

 8.1. Size:424K  panjit
 pjd1na50 pjn1na50 pju1na50 pjw1na50.pdf pdf_icon

PJW1NA80

PPJN1NA50 / PJW1NA50 / PJU1NA50 / PJD1NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A

 8.2. Size:411K  panjit
 pjd1na60 pjn1na60 pju1na60 pjw1na60.pdf pdf_icon

PJW1NA80

PPJN1NA60 / PJW1NA60 / PJU1NA60 / PJD1NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A

 8.3. Size:412K  panjit
 pjd1na60a pjn1na60a pju1na60a pjw1na60a.pdf pdf_icon

PJW1NA80

PPJN1NA60A / PJW1NA60A / PJU1NA60A / PJD1NA60A 600V N-Channel MOSFET 600 V 1 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@0.5A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PJT7408 , PJT7600 , PJT7800 , PJT7801 , PJT7802 , PJW1NA50 , PJW1NA60 , PJW1NA60A , RU6888R , PJX138K , PJX8802 , PJX8803 , PJX8804 , PJX8805 , PJX8806 , PJZ6NA90 , PJZ9NA90 .

 

 
Back to Top

 


 
.