WFF7N65S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WFF7N65S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 19 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 470 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.57 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WFF7N65S
WFF7N65S Datasheet (PDF)
wff7n65s.pdf
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wff7n60.pdf
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Liste
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