WFF7N65S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WFF7N65S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 470 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.57 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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WFF7N65S datasheet

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WFF7N65S

WFF7N65S WFF7N65S WFF7N65S WFF7N65S 650V Super-Junction Power MOSFET 650V Super-Junction Power MOSFET 650V Super-Junction Power MOSFET 650V Super-Junction Power MOSFET Features D Ultra low Rdson Ultra low gate charge (typ. Qg =19nC) 100% UIS tested G RoHS compliant S General Description Power MOSFET is fabricated using advanced super junction technology. The re

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WFF7N65S

WFF7N60 WFF7N60 WFF7N60 WFF7N60 Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Silicon N-Channel MOSFET Features 7A,600V,R (Max 1.2 )@V =10V DS(on) GS Ultra-low Gate Charge(Typical 29nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Isolation Voltage(V =4000V AC) ISO Maximum Junction Temperature Range(150 ) General Descri

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